光速被减慢1万倍以上！光子芯片又迎大突破【附光芯片发展趋势】

1月8日，从中国科学院深圳先进技术研究院获悉，该院先进集成技术研究所副研究员李光元团队提出在光子芯片上减慢光速新方法，有望极大地提高慢光光子芯片器件的性能，并在光传感、光通信、光计算和光缓存等领域获得广泛的应用，也将为慢光技术研究提供新思路。相关研究成果近日发表在《纳米快报》上。

光速被认为是宇宙中最快的速度，也是所有物质和信息传播速度的上限，其真空中物理常数取30万公里/秒。

在光子芯片上减慢光速新方法研究中，李光元团队通过利用两种表面晶格共振模式的干涉耦合，测得在室温下具有强慢光效应的类电磁诱导透明现象。即：光速被减慢1万倍以上（约30公里/秒以下）的同时，实验测得其品质因子（反比于损耗）高达2750，是现有纪录（483）的五倍以上，这意味着损耗低至现有纪录的不到五分之一。

国内高端光芯片多在研发阶段

目前，我国高端光模块上游光芯片仍然受限于海外领先企业，以100Gb/s 10/40km光模块核心光芯片53G Baud为例，目前我国大部分头部企业仍在研发阶段，而以SEDI等为代表的国际领先厂家已经基本度过样品阶段实现了规模化量产。

光芯片发展趋势

从中国光芯片的发展趋势以及历年光芯片市场规模变化情况来看，未来五年中国光芯片产业仍将快速发展。尽管低端光芯片市场竞争较为激烈，但行业前景较好，政策支持力度强，未来仍将有大量企业入局，随着光模块行业龙头效应愈加明显，我国高端光芯片国产替代率也将稳步提升。

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